IPP042N03LGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 61 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP042N03LGXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2399833

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57mm

Высота

15.65 mm

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

6 mΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 4.5 V

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

IPP042 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

70A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

79W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 30A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

70 A

Pd - рассеивание мощности

79 W

Qg - заряд затвора

18 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

5.6 ns

Время спада

4.4 ns

Длина

10.36mm

Другие названия товара №

G IPP042N03L IPP42N3LGXK SP000680792

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

44 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

28 ns

Типичное время задержки при включении

7.4 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Power Dissipation

79 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.57mm

Height

15.95mm

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.1V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Техническая документация

Datasheet IPP042N03LGXKSA1 , pdf , 615 КБ
Datasheet IPP042N03LGXKSA1 , pdf , 613 КБ
Datasheet , pdf , 612 КБ

IPP042N03LGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 61 руб.

Техническая документация