IPP041N04NGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 62 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

N-канал 40V 80A (Tc) 94W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3-1

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP041N04NGXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2411817

Технические параметры

Series

OptiMOSв„ў ->

Base Product Number

IPP041 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 20V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

94W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 80A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 45ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 689 КБ

IPP041N04NGXKSA1, Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 62 руб.

Техническая документация