ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP040N06NAKSA1, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP040N06NAKSA1, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPP040N06NAKSA1, Транзистор
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPP040N06NAKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1251871
Технические параметры
Вес, г
0.454
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Brand
Infineon
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.95mm
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Type
N
Transistor Configuration
Single
Package Type
TO-220
Width
4.57mm
Pin Count
3
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
107 W
Series
OptiMOS 5
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Maximum Gate Threshold Voltage
3.3V
Техническая документация
Datasheet IPP040N06NAKSA1 , pdf
, 496 КБ
