IPP037N08N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 138 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP037N08N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2109348

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

3.1

Length

10.36мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220

Ширина

4.57мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10 mm

Высота

15.95mm

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

100 А

Максимальное рассеяние мощности

214 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Series

OptiMOS 3

Typical Gate Charge @ Vgs

88 нКл при 10 В

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Другие названия товара №

G IPP037N08N3 IPP37N8N3GXK SP000680776

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet IPP037N08N3GXKSA1 , pdf , 497 КБ
Datasheet IPP037N08N3GXKSA1 , pdf , 1022 КБ
Datasheet , pdf , 499 КБ

IPP037N08N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 138 руб.

Техническая документация