IPP034N03LGXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 80А, 94Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP034N03LGXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2162709

Технические параметры

Вес, г

2.08

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36мм

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.57мм

Height

15.95мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

4.57мм

Серия

OptiMOS 3

Длина

10.36мм

Высота

15.95мм

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IPP034 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

80 А

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

4,7 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

4000 пФ при 15 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 15V

Power Dissipation (Max)

94W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Series

OptiMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

4,7 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

25 нКл при 4,5 В, 51 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.1V

Типичное время задержки выключения

35 нс

Типичное время задержки включения

9,2 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 4,5 В, 51 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Прямая активная межэлектродная проводимость

100S

Прямое напряжение диода

1.1V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 727 КБ
Datasheet IPP034N03LGXKSA1 , pdf , 726 КБ

IPP034N03LGXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 80А, 94Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация