IPP023N04NGXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 90А, 167Вт, PG-TO220-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP023N04NGXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2175858

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.09

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Brand

Infineon

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.57мм

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.36мм

Высота

15.95мм

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Pd - рассеивание мощности

167 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPP023 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 20V

Power Dissipation (Max)

167W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 90A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 95ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

90 А

Series

OptiMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

2,3 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

90 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

120 nC

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Другие названия товара №

IPP023N04N G SP000680762

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Transistor Mounting

Through Hole

Линейка Продукции

OptiMOS 3 Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

40В

Непрерывный Ток Стока

90А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Рассеиваемая Мощность

167Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0019Ом

Техническая документация

Datasheet , pdf , 584 КБ
Datasheet IPP023N04NGXKSA1 , pdf , 582 КБ

IPP023N04NGXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 90А, 167Вт, PG-TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация