IPN80R750P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 4,6А, 7,2Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPN80R750P7ATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113921

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

7.2 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N Канал

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Reel, Cut Tape

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

640 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

17 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Другие названия товара №

IPN80R750P7 SP001665002

Transistor Mounting

Surface Mount

Линейка Продукции

CoolMOS P7 Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

800В

Непрерывный Ток Стока

7А

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Рассеиваемая Мощность

7.2Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.64Ом

Техническая документация

Datasheet IPN80R750P7ATMA1 , pdf , 1197 КБ
Datasheet IPN80R750P7ATMA1 , pdf , 1024 КБ

IPN80R750P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 4,6А, 7,2Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация