IPN80R2K0P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,9А, 6,4Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 800V 3A (Tc) 6W (Tc) поверхностный монтаж PG-SOT223

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPN80R2K0P7ATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2153292

Технические параметры

Вес, г

0.12

Mounting Type

Surface Mount

Base Product Number

IPN80R2 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 500V

Power Dissipation (Max)

6W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 50ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1041 КБ

IPN80R2K0P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,9А, 6,4Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация