IPN70R1K5CE, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 3,4А, 5Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPN70R1K5CEATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2148900

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Ширина

3.5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

CoolMOS CE

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6.5 mm

Высота

1.6 mm

Id - непрерывный ток утечки

5.4 A

Pd - рассеивание мощности

5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.51 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

10.5 nC

Время нарастания

5.9 ns

Время спада

18.2 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки при включении

7.7 ns

Другие названия товара №

IPN70R1K5CE SP001458794

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

5.4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

5W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

1.5О© @ 1A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

700V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.5V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 881 КБ
Datasheet IPN70R1K5CEATMA1 , pdf , 1056 КБ

IPN70R1K5CE, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 3,4А, 5Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация