IPN50R2K0CE, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,3А, 5Вт, PG-SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 76 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPN50R2K0CEATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1251849

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7мм

Brand

Infineon

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Ширина

3.5 mm

Maximum Drain Source Voltage

550 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

SOT-223

Width

3.7мм

Pin Count

3 + Tab

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

CoolMOS CE

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6.5 mm

Высота

1.7мм

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPN50R2 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-223-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.68 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

124pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 600mA, 13V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 50ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

3.6 A

Maximum Power Dissipation

5 Вт

Series

CoolMOSв„ў CE ->

Maximum Drain Source Resistance

2 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Forward Diode Voltage

0.83V

Qg - заряд затвора

6 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

38 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

21 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Другие названия товара №

IPN50R2K0CE SP001461194

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1280 КБ
Datasheet IPN50R2K0CEATMA1 , pdf , 1214 КБ

IPN50R2K0CE, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,3А, 5Вт, PG-SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 76 руб.

Техническая документация