IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-ВSON-4, CoolMOS™, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPL65R1K5C6SATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2081684

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

CoolMOS C6

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6 mm

Высота

1.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

26.6 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

ThinPAK-56-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Qg - заряд затвора

11 nC

Время нарастания

5.9 ns

Время спада

18.2 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки при включении

7.7 ns

Другие названия товара №

IPL65R1K5C6S SP001163086

Техническая документация

Datasheet IPL65R1K5C6SATMA1 , pdf , 1320 КБ

IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-ВSON-4, CoolMOS™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация