IPI90R500C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 6,8А, 156Вт, PG-TO262, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI90R500C3XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2163395

Технические параметры

Вес, г

1.54

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.2mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.45mm

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

I2PAK (TO-262)

Width

4.5mm

Pin Count

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Power Dissipation

156 W

Series

CoolMOS C3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Forward Diode Voltage

1.2V

IPI90R500C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 6,8А, 156Вт, PG-TO262 - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.