IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI086N10N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2124810

Технические параметры

Вес, г

1.53

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

11.177mm

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

I2PAK (TO-262)

Width

4.572mm

Pin Count

Base Product Number

IPI086 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO262-3

Minimum Gate Threshold Voltage

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 73A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 75ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

125 W

Series

OptiMOS 3

Maximum Drain Source Resistance

15.4 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 903 КБ

IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация