IPI075N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор MV POWER MOS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI075N15N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2126320

Технические параметры

Вес, г

1.56

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.5 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.2 mm

Высота

9.45 mm

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-262-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPI075 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO262-3

Упаковка

Tube

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5470pF @ 75V

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 270ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Другие названия товара №

G IPI075N15N3 IPI75N15N3GXK SP000680676

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 737 КБ

IPI075N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 100А, 300Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.

Техническая документация