IPI045N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 184 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 100V 100A (Tc) 214W (Tc) сквозное отверстие PG-TO262-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI045N10N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2080364

Технические параметры

Вес, г

0.5

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

IPI045 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO262-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 150ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPI045N10N3GXKSA1 , pdf , 1057 КБ

IPI045N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 184 руб.

Техническая документация