IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 60V 90A I2PAK-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI040N06N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2125924

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.54

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.2 mm

Высота

9.45 mm

Id - непрерывный ток утечки

90 A

Pd - рассеивание мощности

188 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-262-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPI040 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO262-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.7 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

188W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Qg - заряд затвора

98 nC

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Другие названия товара №

IPI040N06N3 G SP000680656

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 997 КБ

IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 90А, 188Вт, PG-TO262-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация