IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 120А, 250Вт, PG-TO262-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 60V 120A (Tc) 250W (Tc) поверхностный монтаж PG-TO262-3-1

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPI024N06N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2078756

Технические параметры

Вес, г

0.5

Mounting Type

Surface Mount

Base Product Number

IPI024 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO262-3-1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

250W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 196ВµA

Series

OptiMOSв„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPI024N06N3GXKSA1 , pdf , 1002 КБ

IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 120А, 250Вт, PG-TO262-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация