ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPG20N06S4L26AATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 20 А, 60 В, 0.021 Ом, 10 В, 1.7 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPG20N06S4L26AATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 20 А, 60…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPG20N06S4L26AATMA1, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 20 А, 60 В, 0.021 Ом, 10 В, 1.7 В
Последняя цена
280 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPG20N06S4L26AATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819750
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TDSON
Рассеиваемая Мощность
33Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
20А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.021Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.7В
Вес, г
0.012
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
OptiMOS T2 Series
Техническая документация
Datasheet IPG20N06S4L26AATMA1 , pdf
, 197 КБ