ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD90N03S4L-02, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD90N03S4L-02, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD90N03S4L-02, Микросхема
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ T2
Infineon, № 146, новый OptiMOS ™ -T2 включает ряд энергоэффективных полевых МОП-транзисторов с сокращением выбросов CO2 и электрическими приводами. Новое семейство продуктов OptiMOS ™ -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS ™ -T и OptiMOS ™. Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD90N03S4L-02
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1807297
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.3
Максимальный непрерывный ток стока
90 А
Максимальное рассеяние мощности
136 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.3мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.5мм
Серия
OptiMOS T2
Типичное время задержки выключения
62 ns
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.5 x 6.22 x 2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7500 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 159 КБ
Datasheet IPD90N03S4L02ATMA1 , pdf
, 161 КБ