IPD80R1K0CEATMA1, N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD80R1K0CEATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1731921

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.5

Максимальный непрерывный ток стока

5,7 А

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.41мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

6.73мм

Серия

CoolMOS CE

Типичное время задержки выключения

72 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.41мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

31 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

785 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet IPD80R1K0CEATMA1 , pdf , 2316 КБ

IPD80R1K0CEATMA1, N-Channel MOSFET, 5.7 A, 800 V, 3-Pin DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация