ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD78CN10N G, MOSFET N-CHANNEL 100V 13A OPTIMOS TO252 транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD78CN10N G, MOSFET N-CHANNEL 100V 13A OPTIMOS TO252 транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD78CN10N G, MOSFET N-CHANNEL 100V 13A OPTIMOS TO252 транзистор
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов
OptiMOS ™ 2
предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов
OptiMOS 2
варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD78CN10N G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1814896
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 2
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Power Dissipation
31 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Height
2.41mm
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V