IPD78CN10N G, MOSFET N-CHANNEL 100V 13A OPTIMOS TO252 транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™ 2
Infineon, семейство N-каналов OptiMOS ™ 2 предлагает самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии в пределах своей группы напряжений. Серия Power MOSFET может использоваться во многих приложениях, включая высокочастотные телекоммуникационные системы, устройства передачи данных, солнечные батареи, низковольтные приводы и серверные источники питания. Семейство продуктов OptiMOS 2 варьируется от 20 В и выше и предлагает выбор различных типов корпусов.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD78CN10N G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814896

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Transistor Material

Length

6.73mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 2

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Power Dissipation

31 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.22mm

Height

2.41mm

Maximum Drain Source Resistance

78 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

IPD78CN10N G, MOSFET N-CHANNEL 100V 13A OPTIMOS TO252 транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.