IPD70R1K4P7SAUMA1 MOSFET транзистор IPD70R1K4P7S SP001491632 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

МОП-транзистор

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD70R1K4P7SAUMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2070334

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

22.7 W

Qg - заряд затвора

4.7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.15 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4.9 ns

Время спада

61 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IPD70R1K4P7S SP001491632

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

63 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Техническая документация

Datasheet IPD70R1K4P7SAUMA1 , pdf , 1179 КБ

IPD70R1K4P7SAUMA1 MOSFET транзистор IPD70R1K4P7S SP001491632 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация