IPD640N06L G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 91 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Ch 60V 18A DPAK-2

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD640N06L G

P/N

IPD640N06LG

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1805234

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

47 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

64 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

25 ns

Время спада

32 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IPD640N06LGBTMA1 IPD64N6LGXT SP000443766

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

OptiMOS 2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

32 ns

Типичное время задержки при включении

6 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Техническая документация

Datasheet IPD640N06L G , pdf , 991 КБ

IPD640N06L G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 91 руб.

Техническая документация