IPD60R3K3C6ATMA1 MOSFET транзистор IPD60R3K3C6 SP001117718 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

МОП-транзистор N-Ch 650V 1.7A DPAK-2

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD60R3K3C6ATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1488303

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

1.7 A

Pd - рассеивание мощности

18.1 W

Qg - заряд затвора

4.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.3 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns

Время спада

60 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IPD60R3K3C6 SP001117718

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CoolMOS C6

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Техническая документация

Datasheet IPD60R3K3C6ATMA1 , pdf , 959 КБ

IPD60R3K3C6ATMA1 MOSFET транзистор IPD60R3K3C6 SP001117718 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация