IPD60R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 6А, 41Вт, PG-TO252-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

'Высоковольтные N-канальные полевые МОП-транзисторы семейства CoolMOS P7. Имеют высокие динамические характеристики. Предназначены для AC-DC импульсных источников питания, адаптеров, зарядных устройств, инверторов.
Особенности CoolMOS P7:
лучшее в классе значение FOM (RDS(on) * Eoss);
наименьшее в классе пороговое напряжение включения V(GS)th от 3 В с малым разбросом ± 0.5 В;
электростатическая защита затвора (ESD класс, HBM).
'
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 360 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD60R360P7ATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2110187

Технические параметры

Вес, г

1.4

Техническая документация

Datasheet IPD60R360P7ATMA1 , pdf , 1232 КБ

IPD60R360P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 6А, 41Вт, PG-TO252-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация