ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD50R650CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 9 А, 0.59 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD50R650CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 9 А, 0.59 Ом…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD50R650CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 9 А, 0.59 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD50R650CEAUMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1813581
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-252(dpak)
Рассеиваемая Мощность
69Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500в
Непрерывный Ток Стока
9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.59Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
13В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.426
Линейка Продукции
CoolMOS CE Series
Техническая документация
Datasheet IPD50R650CEAUMA1 , pdf
, 1219 КБ