ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD50R380CE, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD50R380CE, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD50R380CE, Транзистор
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD50R380CE
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808430
Технические параметры
Вес, г
0.39
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Brand
Infineon
Series
CoolMOS CE
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Power Dissipation
73 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22mm
Height
2.41mm
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
0.85V
