IPD320N20N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 200 В, 0.027 Ом, 10 В, 3 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 34 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD320N20N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812286

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

136Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

200В

Непрерывный Ток Стока

34А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.027Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Вес, г

0.3

Техническая документация

Datasheet IPD320N20N3GATMA1 , pdf , 548 КБ

IPD320N20N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 200 В, 0.027 Ом, 10 В, 3 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация