IPD122N10N3GATMA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 59 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.2 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD122N10N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819537

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.497

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

59 A

Pd - рассеивание мощности

94 W

Qg - заряд затвора

26 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

12.2 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

5 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

G IPD122N10N3 SP001127828

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

29 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

24 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO-252-3

Техническая документация

Datasheet IPD122N10N3GATMA1 , pdf , 489 КБ

IPD122N10N3GATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация