ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD090N03LGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 0.0075 Ом, 10 В, 2.2 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD090N03LGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 0.0075 Ом, 10 В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD090N03LGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 0.0075 Ом, 10 В, 2.2 В
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-контактный (2 контакта) DPAK T / R
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD090N03LGATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810232
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
42Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0075Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.2В
Вес, г
1.43
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet IPD090N03LGATMA1 , pdf
, 1345 КБ