ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD075N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [PG-TO252-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD075N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [PG-TO252-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPD075N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [PG-TO252-3]
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPD075N03LGATMA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1772366
Технические параметры
Вес, г
0.4
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Ширина
6.22мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
OptiMOS 3
Длина
6.73мм
Высота
2.41мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
Infineon
Тип монтажа
Surface Mount
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Максимальное рассеяние мощности
47 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
11,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1400 пФ при 15 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
17 нс
Типичное время задержки включения
4,3 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 4,5 В
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
61S
Прямое напряжение диода
1.1V
Техническая документация
Infineon_IPD075N03LG_DataSheet_v02_02_EN-1226958 , pdf
, 946 КБ
Datasheet IPD075N03LGATMA1 , pdf
, 946 КБ