ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB65R660CFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 650 В, 0.594 Ом, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB65R660CFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 650 В, 0.594 Ом, 10 В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB65R660CFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 650 В, 0.594 Ом, 10 В, 4 В
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
ВКонтакте
Одноклассники
Telegram
Twitter
Viber
WhatsApp
Скопировать ссылку
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB65R660CFDATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815221
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
62.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.594Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Вес, г
1.43