ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB60R360P7ATMA1, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB60R360P7ATMA1, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB60R360P7ATMA1, Микросхема
Последняя цена
243 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB60R360P7ATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818987
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
41Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600в
Непрерывный Ток Стока
9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.305Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3.5В
Вес, г
1
Линейка Продукции
CoolMOS P7 Series
Техническая документация
Datasheet IPB60R360P7ATMA1 , pdf
, 1129 КБ