IPB200N25N3 G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1300 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB200N25N3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1817312

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.31mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

64 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Maximum Power Dissipation

300 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.45mm

Height

4.57mm

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 714 КБ

IPB200N25N3 G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 1300 руб.

Техническая документация