ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB200N25N3 G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB200N25N3 G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB200N25N3 G, Транзистор
Последняя цена
1300 руб.
Сравнить
Описание
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB200N25N3 G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1817312
Технические параметры
Вес, г
2.5
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.31mm
Brand
Infineon
Series
OptiMOS 3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.45mm
Height
4.57mm
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.2V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 714 КБ