IPB200N15N3 G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 691 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB200N15N3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819129

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

20 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

23 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

23 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1820 пФ при 75 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPB200N15N3 G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 691 руб.