IPB100N06S2L-05, Транзистор N-CH 100A 55V OPTIMOS TO263, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB100N06S2L-05

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1815338

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

1.6

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5.9 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS

Типичное время задержки выключения

98 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

18 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

5660 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPB100N06S2L-05, Транзистор N-CH 100A 55V OPTIMOS TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.