IPB054N06N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 76 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB054N06N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2401636

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263 (D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

115Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

80А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0044Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Surface Mount

Линейка Продукции

OptiMOS 3 Series

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Ширина

9.25 mm

Высота

4.4 mm

Transistor Material

Length

10.31mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

115 W

Qg - заряд затвора

82 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.4 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

68 ns

Время спада

9 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

IPB054N06N3 G SP000446782

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

47 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

OptiMOS 3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

32 ns

Типичное время задержки при включении

24 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

115 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.05mm

Height

4.57mm

Maximum Drain Source Resistance

5.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

94s

Dimensions

10.31 x 11.05 x 4.57mm

Typical Turn-On Delay Time

24 ns

Typical Turn-Off Delay Time

32 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 690 КБ
Datasheet , pdf , 688 КБ

IPB054N06N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 76 руб.

Техническая документация