IPB036N12N3GATMA1 MOSFET транзистор IPB036N12N3 G SP000675204 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB036N12N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1488301

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное рассеяние мощности

300 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

120 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

76 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

158 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

10400 пФ при 60 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 634 КБ

IPB036N12N3GATMA1 MOSFET транзистор IPB036N12N3 G SP000675204 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация