IPB017N06N3 G, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1050 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB017N06N3 G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1819625

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

180 A

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1,7 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

79 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

41 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

206 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

17000 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPB017N06N3 G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 1050 руб.