IPB010N06NATMA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 850 руб.

Сравнить

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 180 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB010N06NATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814927

Технические параметры

Вес, г

1.99

Pin Count

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Quint Source

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

180

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

300000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

15000@30V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

208@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

208

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

4.57(Max)

Package Length

10.31(Max)

Package Width

9.45(Max)

Tab

Техническая документация

Datasheet IPB010N06NATMA1 , pdf , 1053 КБ
Datasheet , pdf , 1042 КБ

IPB010N06NATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 850 руб.

Техническая документация