IPAN70R900P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPAN70R900P7SXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2159838

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

17.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPAN70 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

740 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

211pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

17.9W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 1.1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 60ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Qg - заряд затвора

6.8 nC

Время нарастания

4.7 ns

Время спада

31 ns

Типичное время задержки выключения

58 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Другие названия товара №

IPAN70R900P7S SP001703476

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPAN70R900P7SXKSA1 , pdf , 1124 КБ
Datasheet IPAN70R900P7SXKSA1 , pdf , 948 КБ
Datasheet IPAN70R900P7SXKSA1 , pdf , 949 КБ

IPAN70R900P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация