IPAN70R750P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 4А, 20,8Вт, TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPAN70R750P7SXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2177641

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

6.5 A

Pd - рассеивание мощности

20.8 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

620 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

8.3 nC

Время нарастания

5 ns

Время спада

37 ns

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Другие названия товара №

IPAN70R750P7S SP001721536

Техническая документация

Datasheet IPAN70R750P7SXKSA1 , pdf , 955 КБ
Datasheet IPAN70R750P7SXKSA1 , pdf , 1134 КБ

IPAN70R750P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 4А, 20,8Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация