ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA90R800C3, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA90R800C3, MOSFET транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA90R800C3, MOSFET транзистор
Последняя цена
572 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA90R800C3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1807355
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.5
Максимальный непрерывный ток стока
6,9 A
Максимальное рассеяние мощности
33 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85мм
Высота
16.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.7 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.2V
Длина
10.65мм
Серия
CoolMOS C3
Типичное время задержки выключения
400 ns
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.65 x 4.85 x 16.15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
70 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
42 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1100 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet IPA90R800C3 , pdf
, 265 КБ