IPA80R1K2P7XKSA1, 800V CoolMOS P7 Power Transistor, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 83 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA80R1K2P7XKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2401579

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPA80R1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

25W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 80ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4.5 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Qg - заряд затвора

11 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Другие названия товара №

IPA80R1K2P7 SP001644600

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO-220FP-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPA80R1K2P7XKSA1 , pdf , 950 КБ

IPA80R1K2P7XKSA1, 800V CoolMOS P7 Power Transistor - характеристики, поставщики

Последняя цена 83 руб.

Техническая документация