IPA80R1K0CEXKSA2 MOSFET транзистор IPA80R1K0CE SP001313392 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

TO220-3/800V CoolMOS CE Power Transistor
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 950 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA80R1K0CEXKSA2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1488302

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Ширина

4.85 mm

Высота

16.15 mm

Series

CoolMOSв„ў CE ->

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

IPA80R1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5.7A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

32W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.6A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

5.7 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Qg - заряд затвора

31 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.19 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

15 ns

Время спада

8 ns

Длина

10.65 mm

Другие названия товара №

IPA80R1K0CE SP001313392

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS CE

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

72 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1192 КБ
Datasheet , pdf , 1043 КБ

IPA80R1K0CEXKSA2 MOSFET транзистор IPA80R1K0CE SP001313392 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация