ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA70R900P7SXKSA1 MOSFET транзистор IPA70R900P7S SP001600942 INF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA70R900P7SXKSA1 MOSFET транзистор IPA70R900P7S SP001600942 INF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA70R900P7SXKSA1 MOSFET транзистор IPA70R900P7S SP001600942 INF
Последняя цена
82 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы импортные
Примечание: !
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA70R900P7SXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1490389
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220FP
Рассеиваемая Мощность
20.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
700В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.74Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Through Hole
Линейка Продукции
CoolMOS P7 Series
Series
CoolMOSв„ў P7 ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IPA70R900 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 400V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
211pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
20.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60ВµA
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
20.5 W
Qg - заряд затвора
6.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
740 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
4.7 ns
Время спада
31 ns
Другие названия товара №
IPA70R900P7S SP001600942
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
58 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPA70R900P7SXKSA1 , pdf
, 1139 КБ
Datasheet IPA70R900P7SXKSA1 , pdf
, 930 КБ
Datasheet IPA70R900P7SXKSA1 , pdf
, 1073 КБ