ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA70R750P7SXKSA1, Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA70R750P7SXKSA1, Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA70R750P7SXKSA1, Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Последняя цена
46 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA70R750P7SXKSA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2409135
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Series
CoolMOSв„ў P7 ->
Минимальная рабочая температура
40 C
Base Product Number
IPA70R750 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 400V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
306pF @ 400V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
21.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70ВµA
Id - непрерывный ток утечки
6.5 A
Pd - рассеивание мощности
21.2 W
Qg - заряд затвора
8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
620 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
5 ns
Время спада
27 ns
Другие названия товара №
IPA70R750P7S SP001664858
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPA70R750P7SXKSA1 , pdf
, 1151 КБ
Datasheet IPA70R750P7SXKSA1 , pdf
, 1084 КБ
Datasheet IPA70R750P7SXKSA1 , pdf
, 934 КБ