ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA65R420CFDXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 8,7А, 31,2Вт, PG-TO220-3-FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA65R420CFDXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 8,7А, 31,2Вт, PG-…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IPA65R420CFDXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 8,7А, 31,2Вт, PG-TO220-3-FP
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Силовой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CFD
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPA65R420CFDXKSA1
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2188006
Технические параметры
Вес, г
2.16
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Brand
Infineon
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.15mm
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Channel Type
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Transistor Configuration
Single
Package Type
TO-220
Width
4.85mm
Pin Count
3
Высота
16.15mm
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Тип канала
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Power Dissipation
31.2 W
Series
CoolMOS CFD
Maximum Drain Source Resistance
420 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage
0.9V
Типичный заряд затвора при Vgs
31.5 nC @ 10 V
Прямое напряжение диода
0.9V