IPA65R225C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 7А, 29Вт, PG-TO220-3-FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 390 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор HIGH POWER BEST IN CLASS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA65R225C7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2152970

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.18

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.85 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS C7

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65 mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

29 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA65R225 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

199 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

996pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

29W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 4.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 240ВµA

Series

CoolMOSв„ў C7 ->

Qg - заряд затвора

20 nC

Время нарастания

6 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

48 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Другие названия товара №

IPA65R225C7 SP001080144

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPA65R225C7XKSA1 , pdf , 1168 КБ
Datasheet IPA65R225C7XKSA1 , pdf , 1778 КБ

IPA65R225C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 7А, 29Вт, PG-TO220-3-FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 390 руб.

Техническая документация