IPA65R1K0CEXKSA1 MOSFET транзистор IPA65R1K0CE SP001429758 INF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

N-канал 650 В, 7,2 А (Tc) 68 Вт (Tc), сквозное отверстие, PG-TO220, полный комплект

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA65R1K0CEXKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1488304

Технические параметры

Series

CoolMOSв„ў ->

Base Product Number

IPA65R1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7.2A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

328pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

68W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 200ВµA

FET Feature

Super Junction

Техническая документация

Datasheet , pdf , 991 КБ

IPA65R1K0CEXKSA1 MOSFET транзистор IPA65R1K0CE SP001429758 INF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация